[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [8a-PA4-20] MBE成長したWO₃薄膜のプロトネーションによる構造変化

〇桑形 航行¹、美藤 大輝¹、小池 一歩¹、原田 義之¹、矢野 満明¹、稲葉 克彦²、小林 信太郎² (1.大阪工大 ナノ材研、2.リガク X線研究所)

キーワード：三酸化タングステン、プロトネーション、構造変化

前回我々は，r面サファイア基板上にMBE法で成長したmonoclinic構造のc軸配向WO₃薄膜を溶液ゲートタイプのエレクトロクロミック素子へ加工し，溶液ゲート表面を硫酸水溶液で満たしてバイアスを印加することで，プロトネーション効果を調べた．溶液中に浸した白金線に正バイアスを印加したところ，プロトネーションによってタングステンブロンズと水和物が生成され，その後の大気中保管で前者は数時間で消滅するが，後者は長期間保たれることを，水素の脱離過程を中心に報告した．今回，プロトネーションの初期過程すなわち水素注入による結晶構造の変化を詳しく調べたので報告する．