[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[8a-PA4-27] Siドープβ-Ga₂O₃薄膜に対する活性化エネルギーの評価

〇井藤 聡詞¹、仲林 裕司²、Antoro Iwan¹、川江 健¹ (1.金沢大学、2.北陸先端大学)

キーワード：Ga2O3、活性化

私たちは、次世代パワーデバイス材料として期待されているβ-Ga₂O₃についての研究を行っている。本研究では、β-Ga₂O₃薄膜をc面サファイア基板上に堆積させ、結晶性及び電気特性の評価を行った。また、ドーパントSiの活性化に着目し、RTA法を用いた活性化および活性化エネルギーの導出を試みた。結果として、100℃以上でのアニールにより、β-Ga₂O₃薄膜中のSiが活性化することを確認した。よって、比較的低温でのSi活性化プロセスの実現が期待できる。