[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [8a-PA4-29] m面sapphire基板上に成長したα-Ga₂O₃薄膜の電気特性評価

〇太田 勝也¹、関山 尊仁¹、赤岩 和明¹、阿部 友紀¹、四戸 孝²、市野 邦男¹ (1.鳥取大学、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム、電気特性、ミストCVD法