[8a-PA4-1~31] Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"（Poster）

△ [8a-PA4-8] Effects of Sintering Atmosphere and Dependence of Aluminum Incorporation in Al-doped ZnO Thin-Film Transistor by Solution Method

〇(M1)Kazuyori Oura¹, Fumiya Kimura¹, Masatoshi Koyama¹, Toshihiko Maemoto¹, Shigehiko Sasa¹ (1.Osaka Inst. of Tech. NMRC)

Keywords:Zinc Oxide, solution method

近年，次世代ディスプレイの駆動用素子材料として酸化物半導体が注目されている．我々はその中でもワイドバンドギャップでSiに比べ高い移動度を持つ酸化亜鉛(ZnO)を研究対象としている．ZnOの成膜方法には様々あり，中でも真空プロセスを用いず容易に成膜が可能な溶液法を用いている．今回，我々はAlを添加したZnO(AZO)前駆体溶液を作製し，Alの添加量や焼結雰囲気による膜への影響について評価を行ったので，それらの結果について報告する．