[8a-PA4-1~31] 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

△ [8a-PA4-8] 溶液法により形成したAl添加ZnO薄膜トランジスタの焼結雰囲気による影響とAl添加量依存性

〇(M1)大浦 紀頼¹、木村 史哉¹、小山 政俊¹、前元 利彦¹、佐々 誠彦¹ (1.大阪工大　ナノ材研)

キーワード：酸化亜鉛、溶液法

近年，次世代ディスプレイの駆動用素子材料として酸化物半導体が注目されている．我々はその中でもワイドバンドギャップでSiに比べ高い移動度を持つ酸化亜鉛(ZnO)を研究対象としている．ZnOの成膜方法には様々あり，中でも真空プロセスを用いず容易に成膜が可能な溶液法を用いている．今回，我々はAlを添加したZnO(AZO)前駆体溶液を作製し，Alの添加量や焼結雰囲気による膜への影響について評価を行ったので，それらの結果について報告する．