[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[8a-S22-3] 環境電波発電用GaAsSb系ナノワイヤバックワードダイオード

〇高橋 剛^1,2、河口 研一^1,2、佐藤 優^1,2、岡本 直哉^1,2 (1.富士通、2.富士通研)

キーワード：ナノワイヤ、ダイオード、GaAsSb

IoTセンサの電源として環境電波発電が注目される。我々は従来のショットキーダイオード（SBD）に代わる高効率の電力変換素子の実現に向けて、接合容量が小さいナノワイヤ型のバックワードダイオード（BWD）を検討した。今回GaAsSb/InAs構造をナノワイヤ化する結晶成長およびダイオード化プロセスを適用したところ、ナノワイヤダイオードにおいて初めてBWD特性を達成したので報告する。