[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [8a-S22-4] 原子拡散接合GaAsSb/InP-Ti-GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタ

〇星 拓也¹、山田 友輝¹、名田 允洋¹、白鳥 悠太¹、魚本 幸²、島津 武仁²、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研究所、2.東北大学)

キーワード：ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、GaAsSbベース、原子拡散接合InP-Ti-GaNコレクタ