[8a-S22-1~9] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[8a-S22-5] The photocurrent measurement in n-GaN//p-GaAs/n-GaAs sutructures

〇shoji yamajo¹, Jianbo Liang¹, Hassanet Sodabanlu², Kentaro Watanabe², Masakazu Sugiyama², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City University, 2.University of Tokyo)

Keywords:gallium nitride, gallium arsenide, surface activated bonding

GaAs は高い電子移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。
我々は基板同士を直接接合する表面活性化ボンディング法を用いてGaN/GaAs 接合の作製とその電気特性評価を行ってきた。
今回、我々はGaAs エピ基板とGaN on Si基板を接合しnpn構造を作製、および接合界面を介した電気特性の評価を行った。