[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[8a-S22-5] GaN/GaAs接合を用いたnpn 構造の光電流測定

〇山條 翔二¹、梁 剣波¹、ソダーバンル ハッサネット²、渡辺 健太郎²、杉山 正和²、重川 直輝¹ (1.大阪市大工、2.東大先端研)

キーワード：窒化ガリウム、ガリウムヒ素、表面活性化接合

GaAs は高い電子移動度を持ち、ワイドギャップ半導体であるGaN と組み合わせることで高周波、高耐圧のデバイス作製が期待される。
我々は基板同士を直接接合する表面活性化ボンディング法を用いてGaN/GaAs 接合の作製とその電気特性評価を行ってきた。
今回、我々はGaAs エピ基板とGaN on Si基板を接合しnpn構造を作製、および接合界面を介した電気特性の評価を行った。