[8a-S22-1~9] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [8a-S22-9] CVD法によりブロック層を形成した縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの特性評価

〇(B)岩瀧 雅幸¹、大井 信敬¹、工藤 拓也¹、牟田 翼¹、大久保 智¹、露崎 活人¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文^1,2、平岩 篤¹、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.名大未来研、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、半導体、MOSFET

２次元正孔ガスをキャリアとする縦型ダイヤモンドMOSFETにおいて、アンドープ層上部にリーク電流抑制のために窒素ドープ層を形成したデバイスの特性評価を行う。これまでに研究されてきた横型デバイスと比較し、幅広い温度領域において、遜色ない電流密度及びon/off比が得られた。