[8p-A204-1~10] Gallium Oxide : Novel Wide Band-Gap Oxide Material for Future Generation

△ [8p-A204-5] The complete solid-solution β-(Al_xGa_1-x)₂O₃ realized by the epitaxial growth

〇Ryo Wakabayashi¹, Mai Hattori¹, Kohei Yoshimatsu¹, Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng., 2.MCES)

Keywords:Ga2O3, PLD, Epitaxial Growth

β-(Al_xGa_1-x)₂O₃はβ-Ga₂O₃とのヘテロ接合デバイス応用が期待されている混晶半導体材料であるが，高Al組成側では単相薄膜を得ることが困難であった．今回，基板表面処理による初期成長様式の改善ならびにβ-Ga₂O₃バッファー層の導入について検討を行った結果，全Al組成において単相β-(Al_xGa_1-x)₂O₃薄膜成長を実現したのでこれを報告する．