[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-11] RIE-GaN表面でのAlGaNのMOVPE成長挙動

〇山本 高勇¹、金谷 彗杜¹、牧野 伸哉¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：窒化物、MOVPE

RIE技術はGaN等の窒化物半導体の加工技術として不可欠なものとなっているが、加工表面には加工歪や窒素欠損などの問題が存在する。もし、このような問題を低減・回避することができればRIE表面を活性領域とするデバイス作製が可能になると考えられる。本講ではRIE加工したGaN表面でのAlGaNのMOVPE成長挙動について検討したので報告する。