The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-A301-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 8, 2017 1:15 PM - 4:30 PM A301 (Main Hall)

Takayuki Nakano(Shizuoka Univ.), Tanikawa Tomoyuki(Tohoku Univ.)

1:30 PM - 1:45 PM

[8p-A301-2] Impact of Substrate off-angle on the m-plane GaN Schottky Diodes

Hisashi Yamada1, Hiroshi Chonan1, Tokio Takahashi1, Mitsuaki Shimizu1 (1.AIST)

Keywords:GaN, nonpolar, m-plane

MOCVD法でm面GaNオフ基板上に形成したショットキーダイオードについて報告する。[000-1]へ1.1°、1.7°、5.1°のオフ角度を有するm面GaN基板上に、MOCVD成長を行った。アンドープGaNの残留OおよびC濃度は、オフ角度とともに減少した。残留C濃度は0.1°(m面ジャスト)基板上よりも5.1°基板上において一桁減少した。m面GaNオフ基板上にn-GaNを4um成長し、Ni/Auのショットキーダイオードを作製した。I-Vのリーク電流特性から、0.1°基板上はリーク電流が多く、n型不純物となるO濃度が高いことやピラミッド状ファセットの形成がリーク電流の原因と考えられる。5.1°基板上はリーク電流が十分に低減されていた。