[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-2] m面GaNオフ基板上に形成したNi/n-GaNショットキーダイオードの電気特性

〇山田 永¹、長南 紘志¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化ガリウム、非極性、m面

MOCVD法でm面GaNオフ基板上に形成したショットキーダイオードについて報告する。[000-1]へ1.1°、1.7°、5.1°のオフ角度を有するm面GaN基板上に、MOCVD成長を行った。アンドープGaNの残留OおよびC濃度は、オフ角度とともに減少した。残留C濃度は0.1°（m面ジャスト）基板上よりも5.1°基板上において一桁減少した。m面GaNオフ基板上にn-GaNを4um成長し、Ni/Auのショットキーダイオードを作製した。I-Vのリーク電流特性から、0.1°基板上はリーク電流が多く、n型不純物となるO濃度が高いことやピラミッド状ファセットの形成がリーク電流の原因と考えられる。5.1°基板上はリーク電流が十分に低減されていた。