[8p-A301-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-A301-6] 極薄AlN/GaN超格子成長における歪の影響

〇沈 旭強¹、高橋 言緒¹、井手 利英¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：超格子、歪

窒化物半導体材料は光デバイスや電子デバイス材料として期待されている。その中に(Al,Ga)N/AlN量子井戸構造或いは超格子構造がデバイスの活性層だけではなく高歪系ヘテロ成長の緩和層として広く使われている。今回、我々は異なる歪状態での極薄超格子成長及び評価を行ったので、その結果を報告する。