[8p-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[8p-A411-5] シリコンウェーハ表面のナノパーティクル解析手法

〇藤原 馨¹、土橋 和也¹、斉藤 美佐子¹、小野寺 聡²、古澤 純和² (1.東京エレクトロン、2.東京エレクトロン東北)

キーワード：半導体、パーティクル、ウェーハ

薄膜成膜によるパーティクル顕在化手法と光散乱検出および断面観察手法を組み合わせて、近年の半導体歩留り低下要因になると予測されるベアシリコンウェーハ表面の直径10nm台のパーティクルの付着形態および組成分析手法を確立した。さらに本手法を用いてベアシリコンウェーハ表面の特異なパーティクルの存在を明らかにした。