[8p-A412-1~12] 9.3 ナノエレクトロニクス

[8p-A412-7] ゲート埋込ナノ構造とMOSFET電流-電圧特性の相関に関する基礎検討

〇清水 克真¹、法元 盛久²、大八木 康之³、西尾 俊平³、成瀬 誠⁴、松本 勉⁵、葛西 誠也¹ (1.北大量集センター、2.コンパス・トゥーワン、3.大日本印刷(株)、4.情報通信研究機構、5.横浜国大)

キーワード：ナノ人工物メトリクス、デバイスシミュレーション