[8p-A414-1~8] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

[8p-A414-8] Quantum Dot Light-Emitting Diode using Blended Emitting Layer of ZnS-AgInS₂ and Carrier Transport Materials

〇Genichi Motomura¹, Toshimitsu Tuzuki¹, Tatsuya Kameyama², Tsukasa Torimoto², Taro Uematsu³, Susumu Kuwabata³, Toshihiro Yamamoto¹ (1.NHK, 2.Nagoya Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:quantum dot light-emitting diode, low toxicity

低毒性量子ドット材料であるZnS-AgInS₂固溶体(ZAIS)を用いて、量子ドットEL素子を作製し、ZAIS量子ドット発光層への電荷輸送材料の添加効果を検討した。正孔輸送材料を加えた素子では、正孔輸送性が改善されたことで動作電圧を低減させることができた。さらに、電子輸送材料を加えることで、キャリアバランスが改善され、外部量子効率1.9%の赤色発光を実現した。