[8p-A504-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

△ [8p-A504-2] ガルバノ走査型PLDによる傾斜組成Ba_1-xSr_xTiO₃薄膜の作製

〇原田 龍馬¹、丸山 伸伍¹、松本 祐司¹ (1.東北大院工)

キーワード：強誘電体、薄膜

複数の原料を用いて作製される薄膜はその混合形態によって，主に均一混合型，積層型，傾斜組成型に分類できる．傾斜組成薄膜は膜内に急峻な界面が存在しないことから，均一混合型や積層型薄膜では得られなかった構造や特性を有することが期待される．当研究室では，このような傾斜組成薄膜の作製に適した，ガルバノ走査型パルスレーザー堆積(PLD)装置を新たに開発した．この装置を用いてBaTiO₃(BTO)とSrTiO₃(STO)を高速に交互堆積させることで，室温で強誘電体である組成範囲Ba_1-xSr_xTiO₃(x=0～0.3)で組成を変化させた傾斜組成薄膜を作製し，その構造及び特性を調査した．