[8p-C14-1~7] 6.5 表面物理・真空

[8p-C14-7] 圧力急増によるSiO₂(001)/Si界面酸化促進とその律速過程の解明

〇小川 修一¹、高桑 雄二¹ (1.東北大多元研)

キーワード：熱酸化、シリコン、リアルタイム光電子分光

SiO₂/Si界面酸化において、酸化温度を急昇温する急速熱酸化プロセスでは酸化反応が高速に進行するが、この現象は従来の熱酸化プロセスのモデルであるDeal-Groveモデルでは記述できず、これまで考慮されていない熱歪みの寄与があることを報告した。その一方で、一定温度の熱酸化においても酸化誘起歪みにより点欠陥の発生が生じ、点欠陥が反応サイトになると考えられるが、点欠陥を反応サイトとしたモデルの反応速度式は未だ提案されていない。そこで本研究ではO₂圧力急増によるSiO₂/Si(001)界面酸化促進過程において、O₂急増後の酸化速度とO₂圧力の相関を求め、その結果から「点欠陥反応サイトモデル」の反応速度式の導出を試みた。