[8p-C18-1~8] 13.5 デバイス／集積化技術

[8p-C18-2] 時間領域積和演算回路のためのFeFETアナログ記憶特性評価

〇原田 將敬¹、森江 隆¹、高橋 光恵²、酒井 滋樹² (1.九工大・生命体工、2.産総研)

キーワード：アナログメモリ、強誘電体電界効果トランジスタ

本研究では，過度応答電圧を検出して時間領域で積和演算を行う回路方式の実現のために，ON/OFF比の大きな抵抗値を記憶できる強誘電体電界効果トランジスタ(FeFET)の記憶特性を過度応答特性から評価した．記憶特性を測定した結果，ON/OFF比は最大で約76倍になることが確認できた．また，ゲート電圧を増加することでFeFETをアナログ的に制御できることを確認した．