[8p-C19-1~7] 15.5 Group IV crystals and alloys

[8p-C19-5] Study of strain-compensation effect by spacer in stacked structure of Ge quantum dots

〇(M1)Makoto Arita¹, Yuhki Itoh^1,2, Tomoyuki Kawashima¹, Katsuyoshi Washio¹ (1.Tohoku Univ., 2.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:germanium, quantum dot, strain-compensation

C媒介によるSi(100)上のc(4×4)表面再構成(SR)を利用したGe量子ドット(QD)の自己組織的形成を検討してきた[1, 2]。Ge QDの光学応用にはQDの積層化が必要であるが、積層数の増加に伴いQDに歪が蓄積し、QDが肥大化する課題がある。本報告では、QD積層に用いる中間層による歪補償効果の違いを調べた。