2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PA1 (国際センター1F)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-11] Ag/Ta2O5/Pt素子におけるフォーミングプロセスの活性化障壁測定

〇(M1)棚橋 直哉1、鶴岡 徹2、長谷川 剛1 (1.早大先進理工、2.物材機構)

キーワード:抵抗変化メモリ