[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-2] 高周波基板バイアススパッタ法によるZnO/glass基板上VO2薄膜の転移温度の低温化

〇星野 寛明¹、佐藤 賢太¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：VO2、ZnO、スパッタ法

二酸化バナジウム(VO2)は、 比較的室温に近い68℃付近で絶縁体-金属相転移を生じ, 抵抗値や赤外光領域の光透過率の大きな変化を示す. この特性を活かしスマートウィンドウなどへの応用が期待されている. しかし, 応用へは転移温度が高いことが一つの課題となっている. 我々は高周波基板バイアススパッタ法により, ZnO/glass上においてb軸配向するVO2薄膜に面内ストレスを加えることで転移温度の低温化を試みた.