The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[8p-PA1-1~27] 6.3 Oxide electronics

Fri. Sep 8, 2017 1:30 PM - 3:30 PM PA1 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[8p-PA1-20] Reduction of contact resistance between Zinc Oxide and metal electrode using an electric double layer transistor

Tomoe Narita1, Ryosuke Ishiguro1, Hideaki Takayanagi2 (1.Japan Women's Univ., 2.Tokyo University of Science.)

Keywords:contact resistance, transmission line model, Zinc Oxide

本研究では酸化亜鉛チャネルを有する電気二重層トランジスタを作製し、イオン液体ゲート電圧を印加することで、酸化亜鉛チャネルとニオブ電極間の接触抵抗がどの程度変化するのかを測定した。さらに、酸化亜鉛とニオブの間にチタンを挟んだ試料も作製し、接触抵抗の変化の違いを比較した。その結果、チタンを挟んだ試料において、3桁以上もの大幅な接触抵抗の低減が観測された。