2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PA1 (国際センター1F)

13:30 〜 15:30

[8p-PA1-9] 抵抗変化型不揮発性メモリダイオードの低温形成技術

素村 晃浩1、塚本 貴広1、加藤 格2、雑賀 章浩2、須田 良幸1 (1.東京農工大院工、2.東京高専)

キーワード:抵抗変化型不揮発性メモリ