[8p-PA1-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[8p-PA1-9] 抵抗変化型不揮発性メモリダイオードの低温形成技術

〇素村 晃浩¹、塚本 貴広¹、加藤 格²、雑賀 章浩²、須田 良幸¹ (1.東京農工大院工、2.東京高専)

キーワード：抵抗変化型不揮発性メモリ