[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-12] MEMS技術による低損失デュアルバンドインピーダンス整合回路の開発

〇金谷 晴一¹、山下 勇輝¹、津上 晃多¹、濵澤 篤優¹ (1.九大院システム情報)

キーワード：MEMS、高周波回路

高周波回路においては、効率よく負荷に電力を供給するために、入出力部にインピーダンス整合回路を接続することが必須である。MEMSプロセスにおいては、CMOSプロセスに比べ、メタル層の厚膜化が可能であるため低損失化が可能となる。本研究では、フィルタ理論を応用した分布定数型インピーダンス整合回路を提案し、CMOS低雑音増幅器のためのMEMSプロセスを用いた、2.4GHz/5GHzデュアルバンドインピーダンス整合回路を開発した。