[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-5] LDD構造を用いたトンネルFET ベースCMOS回路においての耐放射線性評価

〇呉 研¹、岩波 悠太¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：TFET、耐放射線性

デバイスシミュレーションよりTFETにおいてLDD構造を有する場合、放射線照射誘起電圧降下効果について検討した。