[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-7] 300℃プロセスによる自己整合四端子Cu-MIC poly-Ge TFT

〇内海 大樹¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：薄膜トランジスタ、多結晶ゲルマニウム、金属誘起結晶化