[8p-PA2-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[8p-PA2-8] 超臨界流体エタノールを用いたLSI配線のためのCNM作製- Co/Al₂O₃/SiO₂基板の場合-

〇(B)松前 祐希¹、宇原 祥夫¹、伊藤 勝利¹、斉藤 茂¹ (1.東理大工)

キーワード：超臨界流体エタノール、LSI配線、CNM

近年のLSI集積化は、配線幅の微細化に伴い、電流密度の増加からエレクトロ・マイレーション等の問題を発生させる。そこで主流である銅配線より低い抵抗率、高熱伝導率、高電流密度耐性を有するカーボンナノ材料配線が期待されている。縦方向配線のビアホールにカーボンナノチューブの使用を考えた研究が進められており、Co、Fe等の触媒を用いたCVD法で作製されている。