[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-11] シリコン基板上への(0001)AlN/GaN超格子構造作成における応力、反り、貫通転位密度制御の数値解析による検討

〇向山 裕次¹、Mikhail Rudinsky²、Anna Lovanova²、Eugene Yakovklev²、Roman Talalaev² (1.STR Japan株式会社、2.STR Group - Soft Impact Ltd.)

キーワード：MOCVDエピ成長、応力、貫通転位

シミュレーションソフトウェアSTREEM AlGaN（STR Group開発）を用いた超格子構造(AlN/GaN)のエピ成長中の応力、及び貫通転位密度の挙動の解析結果に関して報告する。