[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-13] GaN-(0001)/(000-1)面ナノ溝に生じる電位差の表面修飾による制御

〇屋山 巴^1,2、高 燕林³、岡田 晋³、知京 豊裕² (1.産総研、2.物材機構、3.筑波大学)

キーワード：ナノ構造、窒化ガリウム、電位差の制御

GaNは電気陰性度が大きく異なる窒素とガリウムからなる化合物半導体であり、[0001]軸方向に鏡像対称性がないため、同方向に表面を持つ結晶では強い分極を示し、これらがデバイスに与える影響が大きい。本発表では、GaN[0001]軸方向に作製したナノメートル幅の溝内に電位差が生じることを示し、さらに溝の表面(0001)/(000-1)面の修飾状態によって電位差が変化することを報告する。