[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8p-PB1-18] Multiple analyses at high sensitivity and resolution for compound semiconductor by means of TEM, SIMS and 3DAP

〇Norihito Mayama¹, Kazuya Toda¹, Koichi Sawaguchi¹, Kazuhiko Sekino¹, Yutaro Hori¹, Jun Koyama¹, Mina Suganuma¹, Hiroshi Uchida¹, Yutaka Fukushima¹, Masakazu Sugiyama² (1.Toshiba Nanoanalysis Corp., 2.Univ. Tokyo)

Keywords:compound semiconductor, atom probe

本研究では、GaN系化合物半導体試料について、TEM、SIMSおよび3DAPを用いて分析を行った。SIMS分析による特徴的なMg濃度変化がクラスタによるもの、TEMで観察されたクラスタにMgが、同じく欠陥にInが偏析していることが3DAP分析によりわかった。このように、複合的な分析により、１つの分析手法だけでは得られない情報が得られ、デバイスの構造評価が可能であることがわかった。