[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-18] TEM,SIMSおよび3DAPによる化合物半導体の高感度・高分解能複合分析

〇間山 憲仁¹、戸田 一也¹、澤口 晃一¹、関野 和彦¹、堀 祐太郎¹、小山 純¹、菅沼 三奈¹、内田 博¹、福嶌 豊¹、杉山 正和² (1.東芝ナノアナリシス、2.東京大学)

キーワード：化合物半導体、アトムプローブ

本研究では、GaN系化合物半導体試料について、TEM、SIMSおよび3DAPを用いて分析を行った。SIMS分析による特徴的なMg濃度変化がクラスタによるもの、TEMで観察されたクラスタにMgが、同じく欠陥にInが偏析していることが3DAP分析によりわかった。このように、複合的な分析により、１つの分析手法だけでは得られない情報が得られ、デバイスの構造評価が可能であることがわかった。