[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-2] 高真空スパッタ装置を用いたDC反応性スパッタ法によるサファイア基板へのAlN膜の成長

〇伊藤 勝利¹、斉藤 茂¹ (1.東理科大工)

キーワード：窒化アルミニウム、サファイア、DC反応性スパッタ法

C面サファイア基板上にDC反応性スパッタ法でAlN膜を成長させた。成膜にはクライオポンプで10^-8 Pa台まで真空排気された高真空平板マグネトロンスパッタ装置を使用した。ターゲットには純度99.9999%のAlターゲットを使用した。スパッタ電圧6 kV、スパッタ電流 16.7mA、スパッタ圧力1.76 ×10^-1 Pa、P_N2 / P_Ar= 0.29のスパッタ条件で成膜されたAlN膜をX線回折装置で測定を行った結果、(0002)方向への選択的な配向が観測された。