[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-3] スパッタリング法にて作製したGaN膜の構造制御

〇召田 雅実¹、倉持 豪人¹、高橋 言緒²、清水 三聡² (1.東ソー、2.産総研)

キーワード：スパッタ、窒化ガリウム、ターゲット

窒化ガリウム(GaN)膜は、近年パワーデバイス用材料として注目されている。GaN膜の成膜には一般的にMOCVD法が用いられているが、高結晶性膜が得られる一方、大面積への成膜が困難である等、課題も多い。対してスパッタリング法は、これらの課題を解決できる可能性があるため、我々はGaNターゲットを用いたGaN成膜の研究を進めている。本発表では、GaNスパッタ成膜における条件等に対する膜結晶構造等への影響について報告する。