UHVスパッタエピタキシー法によるGaN単結晶層の成長

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[8p-PB1-4] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN単結晶層の成長

〇渡邊渉¹、吉村翼¹、鈴木礼央¹、水野愛¹、安藤毅¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：GaN層、スパッタリング法

我々は，超高真空(UHV)高周波マグネトロンスパッタリング法を用いて，GaN層のエピタキシャル成長を行っている．今回は，スパッタエピタキシー法によるGaN層の成長において，その成長条件と結晶品質の関係について検討を行ったので，その結果について報告する．