[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-5] GaN層の表面状態に関する検討(Ⅱ)

〇水野 愛¹、鈴木 礼央¹、吉村 翼¹、渡邉 渉¹、安藤 毅¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：GaN層、X線光電子分光法、昇温脱離ガス分析法

前回の報告では，昇温脱離ガス分析法(Thermal Desorption Spectrometry：TDS)を用いてGaN層の表面状態について検討し，約500℃で脱離するGa成分とO成分が存在する事を述べた．今回はX線光電子分光法(X-ray photoelectron spectroscopy：XPS)を用いて，GaN層表面におけるO原子等の結合状態について調べたので報告する．