2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (国際センター2F)

13:30 〜 15:30

[8p-PB1-6] エピタキシャルグラフェン基板上Si初期成長核を用いたInN成長におけるa軸配向性制御

〇石丸 大樹1、寺井 汰至1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)

キーワード：窒化物半導体、エピタキシャルグラフェン