2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月8日(金) 13:30 〜 15:30 PB1 (国際センター2F)

13:30 〜 15:30

[8p-PB1-8] p-GaN表面への準大気圧プラズマ照射の効果

熊谷 直人1,3、板垣 宏知2、金 載浩3、小木曽 久人2、王 学論1,3、廣瀬 伸吾2、榊田 創3,1 (1.産総研GaN-OIL、2.産総研AMRI、3.産総研ESPRIT)

キーワード:窒化物半導体、有機金属気相成長法、表面