[8p-PB1-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8p-PB1-9] MOCVD法によるp-down構造InGaN/GaN MQW太陽電池の作製

〇森 拓磨¹、原田 紘希¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：MOCVD成長、窒化ガリウム、太陽電池

InGaN/GaN MQW太陽電池の性能向上には、800℃以下の低温MOCVD成長による高In濃度InGaN光吸収層が必要である。光吸収層上部に形成されるp-GaN層の成長温度は光吸収層と同じかそれ以下の低温で成長する必要があり、C濃度の増加によるMgアクセプタの補償が問題となる。そこで本研究では、p-GaN層をMQW層より先に形成する“p-down構造太陽電池”の動作確認を目的とした実験に着手した。結果、p-down型太陽電池が比較的良好なI-V 特性を示すことを確認した。