09:15 〜 09:30 [16a-503-2] 斜め研磨を用いたGaN表面近傍のカソードルミネッセンス観察 〇関口 隆史1、木村 隆1、羅 顕佳1、江戸 雅晴2、高島 信也2 (1.物材機構、2.富士電機)