16:30 〜 16:45 [16p-413-10] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル 〇横山 千晶1、張 志宇2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東京大工、2.東京大院工)