Kulchaisit Chaiyanan

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発表者・著者、共著者

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 502 (502)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[16a-502-1~12] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

▼ [16a-502-9] Electrical properties Improvement of Top Gate a-IGZO Thin-Film Transistor using Solution Gate Insulator by Ultraviolet-Ozone and Thermal Treatment

〇(DC)Kulchaisit Chaiyanan¹、Bermundo Juan Paolo¹、Fujii Mami N.¹、Ishikawa Yasuaki¹、Uraoka Yukiharu¹ (1.NAIST)