16:30 〜 16:45 △ [17p-304-14] 強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETの動特性に関する考察 〇(DC)Jang Kyungmin1、上山 望1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)
16:45 〜 17:00 [17p-304-15] 強誘電体HfO2を用いたGate-All-Aroundナノワイヤ負性容量FETにおけるIon/Ioff比の向上とそのスケーラビリティ 〇(DC)Jang Kyungmin1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)