王緒昆

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発表者・著者、共著者

2017年3月17日(金) 13:45 〜 17:00 301 (301)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17p-301-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

16:45 〜 17:00

[17p-301-11] 窒化したSiC MOSFETに対するチャージポンピング特性のデューティ比依存性

〇王緒昆¹、岡本大¹、岩室憲幸¹、矢野裕司¹ (1.筑波大)