09:30 〜 11:30 [16a-P5-6] Ba導入による4H-SiC MOS界面の改善 〇村岡 幸輔1、瀬崎 洋1,2、石川 誠治1,2、前田 智徳1,2、吉川 公麿1、黒木 伸一郎1 (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテックセミコンダクター)