10:15 〜 10:30 △ [14a-502-4] 室温レーザーアニールにより作製されたβ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の配向性制御 〇中村 稀星1、内田 啓貴1、土嶺 信男2、金子 智3,1、松田 晃史1、吉本 護1 (1.東工大、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技セ)