09:30 〜 09:45 [14a-315-1] GaN多孔質構造の形状およびキャリア濃度の違いとインピーダンス特性について 〇伊藤 圭亮1、張 笑逸1、熊崎 祐介1、佐藤 威友1 (1.北大量集セ)