10:15 〜 10:30 △ [16a-502-6] ホールトラップがCドープIn-Si-Oのトランジスタ特性へ及ぼす影響 〇(D)栗島 一徳1,2、生田目 俊秀2、木津 たきお2、塚越 一仁2、大井 暁彦2、池田 直樹2、知京 豊裕2、小椋 厚志1 (1.明治大学、2.物質・材料研究機構)